IR2118PBF | |
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Modelo do Produto | IR2118PBF |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descrição | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
Quantidade Disponível | 8015 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.IR2118PBF.pdf2.IR2118PBF.pdf3.IR2118PBF.pdf4.IR2118PBF.pdf5.IR2118PBF.pdf6.IR2118PBF.pdf7.IR2118PBF.pdf8.IR2118PBF.pdf |
IR2118PBF Price |
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Informações técnicas da IR2118PBF | |||
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Número de peça do fabricante | IR2118PBF | Categoria | Circuitos integrados (ICs) |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
Pacote / Caso | 8-PDIP | Quantidade Disponível | 8015 pcs |
Tensão - Fornecimento | 10V ~ 20V | Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-PDIP |
Série | - | Aumento / tempo de queda (típico) | 80ns, 40ns |
Caixa / Gabinete | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | Pacote | Tube |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | Frequência de entrada | 1 |
Tipo de montagem | Through Hole | Tensão lógica - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
Tipo de entrada | Inverting | High Voltage Side - Max (Bootstrap) | 600 V |
Tipo de portão | IGBT, N-Channel MOSFET | Configuração Driven | High-Side |
Corrente - Saída de Pico (Fonte, Pia) | 250mA, 500mA | Base-saturação do emissor Tensão (Max) | Single |
Número do produto base | IR2118 | ||
Download | IR2118PBF PDF - EN.pdf |
IR2118PBF
Driver de Porta de Alta Lado para IGBT e MOSFET Canal N
Infineon Technologies
Driver de Porta de Canal Único
Configuração de Alta Lado para IGBT/MOSFET Canal N
Tipo de Entrada Inversora
Capaz de Operação Bootstrap
Características de Proteção (Dependendo da Variante Específica)
Amplitude de Tensão de Alimentação: 10V ~ 20V
Níveis de Tensão Lógica: VIL 6V, VIH 9.5V
Corrente de Saída de Pico: Fonte 250mA, Drenagem 500mA
Tensão de Alta Lado até 600V (Bootstrap)
Tempo de Aumento Rápido: 80ns
Tempo de Queda Rápido: 40ns
Tensão de Alta Lado - Máx (Bootstrap): 600 V
Tensão Lógica - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Corrente - Saída de Pico (Fonte, Drenagem): 250mA, 500mA
Tempo de Aumento / Queda (Típico): 80ns / 40ns
Tipo de Montagem Through-Hole
Pacote 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Embalado em um Tubo
Faixa de Temperatura de Operação: -40°C ~ 150°C (TJ)
Projetado para Estabilidade e Desempenho a Longo Prazo
Simplifica a Condução de Alta Lado
Adequado para Aplicações de Alta Tensão e Alta Corrente
Permite Operações Bootstrap
Possibilita Interrupções Eficientes
Reputação da Infineon por Qualidade e Confiabilidade
Parte de uma Ampla Gama de ICs de Gerenciamento de Energia
Compatível com IGBT e MOSFETs Canal N
Pacote Through-Hole para Integração Fácil
Conformidade com Normas Internacionais (Certificações Específicas Dependentes do Componente e Aplicação)
Faixa de Temperatura de Operação Robusta Suporta Longa Vida Útil
Construído para Ambientes Severos
Controle de Motores
Fontes de Alimentação
Inversores
Fontes de Alimentação em Modo Chaveado (SMPS)
Aplicações Automotivas
Drogas Industriais
Ações IR2118PBF | Preço IR2118PBF | IR2118PBF Electronics | |||
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Fornecedor IR2118PBF | Ordem IR2118PBF Online | Inquérito IR2118PBF | |||
Imagem IR2118PBF | Imagem IR2118PBF | IR2118PBF PDF | |||
Folha de dados IR2118PBF | Download da folha de dados IR2118PBF | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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IR2118SPBF | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC | Infineon Technologies | ||
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IR2118S | IR2118S IR | IR | ||
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IR2117STRPBF. | IR2117STRPBF. IR | IR | ||
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