Informações técnicas da IPD65R420CFDBTMA1
Número de peça do fabricante IPD65R420CFDBTMA1 Categoria  
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrição MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Pacote / Caso PG-TO252-3 Quantidade Disponível 2631 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 340µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3
Série CoolMOS™ RDS ON (Max) @ Id, VGS 420mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipação de energia (Max) 83.3W (Tc) Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote Tape & Reel (TR) Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 650 V Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc)
Número do produto base IPD65R  
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Componentes IPD65R420CFDBTMA1Inventário IPD65R420CFDBTMA1IPD65R420CFDBTMA1 Digikey
Fornecedor IPD65R420CFDBTMA1Ordem IPD65R420CFDBTMA1 Online Inquérito IPD65R420CFDBTMA1
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