IPD65R420CFDBTMA1 | |
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Modelo do Produto | IPD65R420CFDBTMA1 |
Fabricante | Infineon Technologies |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 |
Quantidade Disponível | 2631 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.IPD65R420CFDBTMA1.pdf2.IPD65R420CFDBTMA1.pdf3.IPD65R420CFDBTMA1.pdf4.IPD65R420CFDBTMA1.pdf5.IPD65R420CFDBTMA1.pdf6.IPD65R420CFDBTMA1.pdf7.IPD65R420CFDBTMA1.pdf8.IPD65R420CFDBTMA1.pdf9.IPD65R420CFDBTMA1.pdf |
IPD65R420CFDBTMA1 Price |
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Informações técnicas da IPD65R420CFDBTMA1 | |||
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Número de peça do fabricante | IPD65R420CFDBTMA1 | Categoria | |
Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 |
Pacote / Caso | PG-TO252-3 | Quantidade Disponível | 2631 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 340µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO252-3 |
Série | CoolMOS™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 420mOhm @ 3.4A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 83.3W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 100 V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Número do produto base | IPD65R | ||
Download | IPD65R420CFDBTMA1 PDF - EN.pdf |
Ações IPD65R420CFDBTMA1 | Preço IPD65R420CFDBTMA1 | IPD65R420CFDBTMA1 Electronics | |||
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Imagem IPD65R420CFDBTMA1 | Imagem IPD65R420CFDBTMA1 | IPD65R420CFDBTMA1 PDF | |||
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IPD65R600C6ATMA1 | LOW POWER_LEGACY | Infineon Technologies | ||
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