| IPD30N03S2L07ATMA1 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | IPD30N03S2L07ATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| Quantidade Disponível | 2518 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf2.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf3.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf4.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf |
| IPD30N03S2L07ATMA1 Price |
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| Informações técnicas da IPD30N03S2L07ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | IPD30N03S2L07ATMA1 | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| Pacote / Caso | PG-TO252-3-11 | Quantidade Disponível | 2518 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO252-3-11 |
| Série | OptiMOS™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 136W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Número do produto base | IPD30N | ||
| Download | IPD30N03S2L07ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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| Imagem IPD30N03S2L07ATMA1 | Imagem IPD30N03S2L07ATMA1 | IPD30N03S2L07ATMA1 PDF | |||
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