IPD048N06L3G
Modelo do Produto IPD048N06L3G
Fabricante infineon
Descrição IPD048N06L3G infineon
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Número de peça do fabricante IPD048N06L3G Categoria Circuitos integrados (ICs)
Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrição IPD048N06L3G infineon
Pacote / Caso TO-252 Quantidade Disponível 5200 pcs
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Modelo do Produto

IPD048N06L3G

Introdução

MOSFET de Canal N para Potência

Marca e Fabricante

Infineon Technologies

Características

Canal N para comutação eficiente, baixo RDS(on) para alta eficiência, capacidade de corrente elevada, velocidade de comutação rápida, baixo carregamento de porta, resistência à avalanche.

Desempenho do Produto

Desempenho térmico robusto, densidade de potência aprimorada, otimizado para aplicações de alto desempenho, operação estável em ampla faixa de temperatura.

Especificações Técnicas

Tensão de Dreno a Fonte (Vds): 60V, Corrente de Dreno Contínua (Id): 90A, Dissipação de Potência (Pd): 290W, RDS(on): 4,8 mOhm a Vgs 10V.

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem TO-252 (DPAK), projeto de montagem em superfície compacto.

Qualidade e Confiabilidade

Conformidade com padrões JEDEC, testado para alta confiabilidade e garantia de qualidade.

Vantagens do Produto

Alta eficiência energética, perdas de condução reduzidas, conversão de potência melhorada.

Competitividade do Produto

Competitivo em aplicações de alta potência, desempenho superior na sua classe, econômico para projetos sensíveis ao orçamento.

Compatibilidade

Compatível com várias tensões de acionamento de porta, adequado para aplicações de alta frequência.

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme com a norma RoHS, qualificado segundo os padrões JEDEC para aplicações alvo.

Duração e Sustentabilidade

Longa vida útil operacional, projetado para impacto ecológico mínimo.

Áreas de Aplicação

Aplicações de gestão de potência, conversores DC/DC, retificação síncrona, motores elétricos, fontes de alimentação comutadas (SMPS)

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