| IPB80N06S2L07ATMA3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | IPB80N06S2L07ATMA3 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Quantidade Disponível | 2565 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf2.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf3.IPB80N06S2L07ATMA3.pdf |
| IPB80N06S2L07ATMA3 Price |
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| Informações técnicas da IPB80N06S2L07ATMA3 | |||
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| Número de peça do fabricante | IPB80N06S2L07ATMA3 | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| Pacote / Caso | PG-TO263-3-2 | Quantidade Disponível | 2565 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO263-3-2 |
| Série | OptiMOS™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 6.7mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 210W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3160 pF @ 25 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 55 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Número do produto base | IPB80N | ||
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