| IPB60R600C6ATMA1 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | IPB60R600C6ATMA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Descrição | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| Quantidade Disponível | 2618 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.IPB60R600C6ATMA1.pdf2.IPB60R600C6ATMA1.pdf3.IPB60R600C6ATMA1.pdf |
| IPB60R600C6ATMA1 Price |
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| Informações técnicas da IPB60R600C6ATMA1 | |||
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| Número de peça do fabricante | IPB60R600C6ATMA1 | Categoria | |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| Pacote / Caso | PG-TO263-3 | Quantidade Disponível | 2618 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PG-TO263-3 |
| Série | CoolMOS™ C6 | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 63W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 600 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Número do produto base | IPB60R | ||
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