| BSC082N10LS G | |
|---|---|
| Modelo do Produto | BSC082N10LS G |
| Fabricante | INFINEON |
| Descrição | INFINEON 2008+RoHS |
| Quantidade Disponível | 5900 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | |
| BSC082N10LS G Price |
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| Informações técnicas da BSC082N10LS G | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | BSC082N10LS G | Categoria | Circuitos integrados (ICs) |
| Fabricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrição | INFINEON 2008+RoHS |
| Pacote / Caso | TDSON-8 | Quantidade Disponível | 5900 pcs |
| Condtion | New Original Stock | garantia | 100% Perfect Functions |
| Tempo de espera | 2-3days after payment. | Forma de pagamento | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
| Envio por | DHL / Fedex / UPS | Porta | HongKong |
| E-mail de RFQ |
Modelo do Produto
BSC082N10LS G
Introdução
Transistor de potência MOSFET N-Channel
Marca e Fabricante
Infineon Technologies
Características
Modo de aprimoramento N-Channel, baixa resistência em condução, comutação de alta velocidade, alta densidade de potência, otimizado para retificação síncrona, comportamento térmico aprimorado, carga de porta minimizada.
Desempenho do Produto
Capacidade de transporte de alta corrente, baixa queda de tensão sob carga, tempos de comutação rápidos, robustez contra comutação difícil.
Especificações Técnicas
Vds - Tensão de ruptura Dreno-Fonte: 100V; Rds On - Resistência Dreno-Fonte: 8,2 mOhm; Id - Corrente contínua de dreno: 100A; Qg - Carga de porta: 47nC.
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote TO-220-3, formato de pinos retos, embalagem a granel.
Qualidade e Confiabilidade
Tecnologia MOSFET comprovada, amplamente testada para resistência, em conformidade com padrões da indústria.
Vantagens do Produto
Eficiente em termos de energia, reduz a complexidade do sistema, oferece soluções de gerenciamento térmico.
Competitividade do Produto
Alto desempenho em tarefas de conversão de potência, relação preço-desempenho competitiva.
Compatibilidade
Compatível com técnicas padrão de montagem SMD, adequado para design de PCB de alta densidade.
Certificação e Conformidade com Normas
Conformidade com RoHS, livre de Pb, livre de halogênio.
Duração e Sustentabilidade
Ciclo de vida do produto prolongado, projetado para confiabilidade a longo prazo.
Áreas de Aplicação
Fontes de alimentação, conversores DC-DC, acionamentos de motor, sistemas de gerenciamento de bateria, sistemas de energia alternativa.
Envie-nos um email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ BSC082N10LS G Online.
| Ações BSC082N10LS G | Preço BSC082N10LS G | BSC082N10LS G Electronics | |||
| Componentes BSC082N10LS G | Inventário BSC082N10LS G | BSC082N10LS G Digikey | |||
| Fornecedor BSC082N10LS G | Ordem BSC082N10LS G Online | Inquérito BSC082N10LS G | |||
| Imagem BSC082N10LS G | Imagem BSC082N10LS G | BSC082N10LS G PDF | |||
| Folha de dados BSC082N10LS G | Download da folha de dados BSC082N10LS G | Fabricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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| Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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BSC080N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON | Infineon Technologies | ||
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BSC082N10NS3G | BSC082N10NS3G INFINEON | INFINEON | ||
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BSC080P03LS G | BSC080P03LS G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
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BSC082N10LSGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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BSC080N03NS3G | BSC080N03NS3G INFINEON | INFINEON | ||
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BSC084P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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BSC082N10LSG | BSC082N10LSG INFINEON | INFINEON | ||
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BSC080P03LSGAUMA1 | MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
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BSC084P03NS3 | INFINEON | |||
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BSC084P03NS3 G | BSC084P03NS3 G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
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BSC084P03NS3EG | Infineon New | Infineon | ||
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