| SUM70101EL-GE3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SUM70101EL-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Descrição | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
| Quantidade Disponível | 5800 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | SUM70101EL-GE3.pdf |
| SUM70101EL-GE3 Price |
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| Informações técnicas da SUM70101EL-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SUM70101EL-GE3 | Categoria | |
| Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrição | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
| Pacote / Caso | TO-263 (D²Pak) | Quantidade Disponível | 5800 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-263 (D²Pak) |
| Série | TrenchFET® | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 10.1mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 375W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 50 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 100 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Número do produto base | SUM70101 | ||
| Download | SUM70101EL-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
SUM70101EL-GE3
Introdução
MOSFET de canal P para aplicações de alta potência.
Marca e Fabricante
Electro-Films (EFI) / Vishay
Características
Tecnologia MOSFET de canal P; Corrente contínua de dreno elevada de 120A; Carga de gate baixa de 190nC; Dissipação de potência alta de 375W; Opera em temperaturas estendidas.
Desempenho do Produto
Capaz de suportar alta tensão de dreno para fonte de 100V; Suporta até 120A de corrente contínua de dreno a 25°C; Opera de forma eficiente em temperaturas que variam de -55°C a 175°C; Adequado para aplicações de alta velocidade de comutação.
Especificações Técnicas
Tensão de dreno a fonte (Vdss) de 100V; Tensão de limiar de Gate-Fonte (Vgs(th)) em 2.5V; Carga máxima de gate (Qg) de 190nC a 10V; Capacitância de entrada (Ciss) de 7000pF a 50V; Tensão de drive para Rds On máximo e mínimo em 4.5V, 10V; Vgs (Máx) de ±20V.
Dimensões, Forma e Embalagem
TO-263-3, DPak (2 terminais + tab), embalagem TO-263AB; Dispositivo de montagem em superfície; Embalado em Digi-Reel.
Qualidade e Confiabilidade
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1 (Ilimitado).
Vantagens do Produto
Baixa resistência térmica; Perdas de condução reduzidas; Alta confiabilidade e desempenho robusto.
Competitividade do Produto
Otimizados para aplicações de gerenciamento de energia de alta performance; Competitivo com MOSFETs de canal P de alta potência similares no mercado.
Compatibilidade
Compatível com montagem em superfície padrão de tecnologia PCB.
Certificação e Conformidade com Normas
Cumpre RoHS; Sem chumbo (Pb-Free).
Duração e Sustentabilidade
Projetado para confiabilidade e desempenho a longo prazo.
Áreas de Aplicação
Circuitos de alimentação; Sistemas de controle de motor; Conversores DC-DC; Gerenciamento de energia para telecomunicações.
Envie-nos um email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ SUM70101EL-GE3 Online.
| Ações SUM70101EL-GE3 | Preço SUM70101EL-GE3 | SUM70101EL-GE3 Electronics | |||
| Componentes SUM70101EL-GE3 | Inventário SUM70101EL-GE3 | SUM70101EL-GE3 Digikey | |||
| Fornecedor SUM70101EL-GE3 | Ordem SUM70101EL-GE3 Online | Inquérito SUM70101EL-GE3 | |||
| Imagem SUM70101EL-GE3 | Imagem SUM70101EL-GE3 | SUM70101EL-GE3 PDF | |||
| Folha de dados SUM70101EL-GE3 | Download da folha de dados SUM70101EL-GE3 | Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
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