SISA01DN-T1-GE3 | |
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Modelo do Produto | SISA01DN-T1-GE3 |
Fabricante | Vishay Siliconix |
Descrição | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
Quantidade Disponível | 60000 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.SISA01DN-T1-GE3.pdf2.SISA01DN-T1-GE3.pdf3.SISA01DN-T1-GE3.pdf |
SISA01DN-T1-GE3 Price |
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Informações técnicas da SISA01DN-T1-GE3 | |||
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Número de peça do fabricante | SISA01DN-T1-GE3 | Categoria | |
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrição | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
Pacote / Caso | PowerPAK® 1212-8 | Quantidade Disponível | 60000 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | Vgs (Max) | +16V, -20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® 1212-8 |
Série | TrenchFET® Gen IV | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | Caixa / Gabinete | PowerPAK® 1212-8 |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3490 pF @ 15 V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 22.4A (Ta), 60A (Tc) |
Número do produto base | SISA01 | ||
Download | SISA01DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET de Canal P para Conversão e Comutação de Potência
Electro-Films (EFI) / Vishay
Conversão de Potência Eficiente, Alta Velocidade de Comutação, Baixa Resistência em Estado Ligado, Dissipação de Potência Reduzida
Alto Corrente Contínua no Dreno, Opera em Amplo Intervalo de Temperatura, Excelente Desempenho Térmico
MOSFET de Canal P 30V 60A, Pacote PowerPAK 1212-8
Pacote Quadrado PowerPAK 1212-8, Enviado em Rolo e Embalado (TR) para Montagem Automatizada
Sem Chumbo / Compatível com RoHS, Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1
Alta Capacidade de Corrente, Baixa Resistência Térmica
Tecnologia Avançada Gen IV TrenchFET
Compatível com Tecnologia de Montagem em Superfície
Atende ou Excede Normas Industriais para Sem Chumbo e RoHS
Design Robusto para Alta Confiabilidade a Longo Prazo
Gerenciamento de Potência, Conversores DC/DC, Sistemas de Gerenciamento de Bateria
Ações SISA01DN-T1-GE3 | Preço SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Electronics | |||
Componentes SISA01DN-T1-GE3 | Inventário SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Digikey | |||
Fornecedor SISA01DN-T1-GE3 | Ordem SISA01DN-T1-GE3 Online | Inquérito SISA01DN-T1-GE3 | |||
Imagem SISA01DN-T1-GE3 | Imagem SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 PDF | |||
Folha de dados SISA01DN-T1-GE3 | Download da folha de dados SISA01DN-T1-GE3 | Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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SIS964L | SIS BGA | SIS | ||
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SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SISA04DN-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY |
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