Modelo do Produto

SIS780DN-T1-GE3

Introdução

MOSFET N-Channel 30V 18A com Diodo Schottky

Marca e Fabricante

Electro-Films (EFI) / Vishay

Características

MOSFET N-Channel

Diodo Schottky Integrado

Tecnologia de Montagem Superficial

Desempenho do Produto

Faixa de Temperatura de Operação de -55°C a 150°C

Dissipação de Potência Máxima de 27,7W

Corrente de Drenagem Contínua de 18A a 25°C

Baixo Rds (On) de 13,5 mOhm a 15A e 10V

Especificações Técnicas

Tensão Dreno a Fonte (Vdss): 30V

Tensão Porta-Fonte (Vgs Max): ±20V

Carga da Porta (Qg): 24,5nC a 10V

Capacitância de Entrada (Ciss): 722pF a 15V

Tensão de Acionamento: 4,5V a 10V

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem PowerPAK 1212-8

Fornecido em Fita e Carretel (TR) para montagem automatizada

Qualidade e Confiabilidade

Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1, indicando vida útil ilimitada em ≤30°C / 85% RH

Vantagens do Produto

Alta eficiência devido ao baixo Rds (On)

Desempenho térmico robusto para melhor confiabilidade

Competitividade do Produto

Competitivo em manuseio de potência e eficiência

Adequado para aplicações de potência de alta densidade

Compatibilidade

Compatível com processos padrão de montagem superficial

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre com normas internacionais aplicáveis para componentes eletrônicos

Duração e Sustentabilidade

Construção durável projetada para confiabilidade a longo prazo

Áreas de Aplicação

Aplicações de gerenciamento de potência

Conversores DC/DC

Reguladores de comutação

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