| ZXM62P02E6TA | |
|---|---|
| Modelo do Produto | ZXM62P02E6TA |
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descrição | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| Quantidade Disponível | 10280 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.ZXM62P02E6TA.pdf2.ZXM62P02E6TA.pdf3.ZXM62P02E6TA.pdf4.ZXM62P02E6TA.pdf |
| ZXM62P02E6TA Price |
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| Informações técnicas da ZXM62P02E6TA | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | ZXM62P02E6TA | Categoria | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Descrição | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 |
| Pacote / Caso | SOT-23-6 | Quantidade Disponível | 10280 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-23-6 |
| Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 200mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | 1.1W (Ta) | Caixa / Gabinete | SOT-23-6 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 15 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 4.5 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 2.7V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Número do produto base | ZXM62P02 | ||
| Download | ZXM62P02E6TA PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
ZXM62P02E6TA
Introdução
Transistor MOSFET de Canal P
Marca e Fabricante
Diodes Incorporated
Características
Tecnologia FET de Semiconductor de Óxido Metálico, Tipo FET de Canal P, Alta capacidade de dissipação de potência, Baixa resistência em condução, Eficiência aprimorada devido a altas velocidades de comutação
Desempenho do Produto
Funcionamento estável em -55°C a 150°C, Pacote SMD SOT-23-6, Corrente de dreno contínua de 2.3A em temperatura ambiente de 25°C, Baixa tensão de limiar
Especificações Técnicas
Tensão Dreno-Fonte: 20V, Resistência em condução: 200 mOhm, Tensão de limiar de porta: 700mV, Carga de porta: 5.8nC, Capacitância de entrada: 320pF, Faixa de tensão de acionamento: 2.7V a 4.5V, Tensão máxima da porta: ±12V
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote SOT-23-6, Fornecido em fita e carretel
Qualidade e Confiabilidade
Operação confiável dentro das faixas de temperatura especificadas
Vantagens do Produto
Gerenciamento de potência eficiente, Design compacto
Competitividade do Produto
Dispositivo MOSFET de Canal P competitivo em sua categoria
Compatibilidade
Compatível com processos de montagem SMT padrão
Certificação e Conformidade com Normas
Atende a normas aplicáveis (Certificações específicas não fornecidas)
Duração e Sustentabilidade
Projetado para uso prolongado em eletrônicos
Áreas de Aplicação
Adequado para gerenciamento de potência em eletrônicos de consumo, telecomunicações e aplicações industriais
Envie-nos um email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ ZXM62P02E6TA Online.
| Ações ZXM62P02E6TA | Preço ZXM62P02E6TA | ZXM62P02E6TA Electronics | |||
| Componentes ZXM62P02E6TA | Inventário ZXM62P02E6TA | ZXM62P02E6TA Digikey | |||
| Fornecedor ZXM62P02E6TA | Ordem ZXM62P02E6TA Online | Inquérito ZXM62P02E6TA | |||
| Imagem ZXM62P02E6TA | Imagem ZXM62P02E6TA | ZXM62P02E6TA PDF | |||
| Folha de dados ZXM62P02E6TA | Download da folha de dados ZXM62P02E6TA | Fabricante Diodes Incorporated | |||
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