MMDT5551-7-F | |
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Modelo do Produto | MMDT5551-7-F |
Fabricante | Diodes Incorporated |
Descrição | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 |
Quantidade Disponível | 20000 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.MMDT5551-7-F.pdf2.MMDT5551-7-F.pdf3.MMDT5551-7-F.pdf4.MMDT5551-7-F.pdf |
MMDT5551-7-F Price |
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Informações técnicas da MMDT5551-7-F | |||
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Número de peça do fabricante | MMDT5551-7-F | Categoria | Cristais, osciladores, ressonadores |
Fabricante | Diodes Incorporated | Descrição | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 |
Pacote / Caso | SOT-363 | Quantidade Disponível | 20000 pcs |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 160V | Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Tipo transistor | 2 NPN (Dual) | Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-363 |
Série | - | Power - Max | 200mW |
Caixa / Gabinete | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pacote | Tape & Reel (TR) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montagem | Surface Mount |
Frequência - Transição | 300MHz | DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | Atual - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Número do produto base | MMDT5551 | ||
Download | MMDT5551-7-F PDF - EN.pdf |
MMDT5551-7-F
Matriz de Transistores Bipolares de Junção NPN Dupla
Diodes Incorporated
Configuração dupla NPN, alta capacidade de tensão, baixa tensão de saturação, baixo corrente de corte do coletor
Corrente de coletor (Ic) máx. de 200mA, tensão de ruptura coletor-emissor (máx.) de 160V, desempenho de alta frequência até 300MHz, adequado para operações em altas temperaturas (-55°C a 150°C)
Tipo de Transistor: 2 NPN (Duplo), Potência - Máx.: 200mW, Faixa de Temperatura de Operação: -55°C ~ 150°C, Ganho de Corrente DC (hFE) mín.: 80 @ 10mA, 5V
Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, pacote de dispositivo SOT-363, embalagem Tape & Reel (TR) para SMT
Compatível com RoHS, livre de chumbo, tecnologia de montagem em superfície para montagem confiável de PCB
Layout compacto de duplo transistor para economia de espaço, solução econômica para aplicações de alta tensão
Compatível com processos de montagem automatizados, menor perda de potência devido à redução da tensão de saturação
Compatível com várias técnicas de montagem de PCB devido ao pacote SOT-363
Compatível com RoHS
Construção durável para longevidade em condições de alta temperatura
Utilizado em aplicações de processamento de sinais, amplificação e comutação
Ações MMDT5551-7-F | Preço MMDT5551-7-F | MMDT5551-7-F Electronics | |||
Componentes MMDT5551-7-F | Inventário MMDT5551-7-F | MMDT5551-7-F Digikey | |||
Fornecedor MMDT5551-7-F | Ordem MMDT5551-7-F Online | Inquérito MMDT5551-7-F | |||
Imagem MMDT5551-7-F | Imagem MMDT5551-7-F | MMDT5551-7-F PDF | |||
Folha de dados MMDT5551-7-F | Download da folha de dados MMDT5551-7-F | Fabricante Diodes Incorporated |
Peças relacionadas para MMDT5551-7-F | |||||
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Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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MMDT5451-7-F | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5551-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
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MMDT5451-TP | Interface | Micro Commercial Co | ||
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MMDTC123JE | ST SOT-523 | ST | ||
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MMDT5451Q-7 | SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDTC114YE | ST SOT-523 | ST | ||
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MMDT5551 | SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.6A 180V T | Yangjie Technology | ||
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MMDT5551-TP | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Micro Commercial Co | ||
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MMDT5551 K4N | LITTELFUSE SOT-363 | LITTELFUSE | ||
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MMDT5551 100-300 K4N | CJ SOT-363 | CJ | ||
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MMDT5451-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
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MMDT5551-7 | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5451 | Transistors - Bipolar (BJT) - Si | Yangjie Technology | ||
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MMDT5551K4N | CJ SOT-363 | CJ | ||
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MMDT5451-7 | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDTA06-7 | TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26 | Diodes Incorporated | ||
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MMDTA114YE | ST SOT-523 | ST | ||
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MMDTA141DW | DIGITAL TRANSISTOR, SOT-363, 60V | Diotec Semiconductor | ||
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MMDT5819LT1G | ON | |||
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MMDTA42-7-F | TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26 | Diodes Incorporated |
Informações
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