| S34MS01G200BHI000 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | S34MS01G200BHI000 |
| Fabricante | Cypress Semiconductor Corp |
| Descrição | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA |
| Quantidade Disponível | 10650 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.S34MS01G200BHI000.pdf2.S34MS01G200BHI000.pdf3.S34MS01G200BHI000.pdf4.S34MS01G200BHI000.pdf5.S34MS01G200BHI000.pdf6.S34MS01G200BHI000.pdf7.S34MS01G200BHI000.pdf |
| S34MS01G200BHI000 Price |
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| Informações técnicas da S34MS01G200BHI000 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | S34MS01G200BHI000 | Categoria | Circuitos integrados (ICs) |
| Fabricante | Cypress Semiconductor | Descrição | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA |
| Pacote / Caso | 63-BGA (11x9) | Quantidade Disponível | 10650 pcs |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página | 45ns | Tensão - Fornecimento | 1.7V ~ 1.95V |
| Tecnologia | FLASH - NAND | Embalagem do dispositivo fornecedor | 63-BGA (11x9) |
| Série | MS-2 | Caixa / Gabinete | 63-VFBGA |
| Pacote | Tray | Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Tipo de memória | Non-Volatile |
| Tamanho da memória | 1Gbit | Organização de memória | 128M x 8 |
| Interface de memória | Parallel | Formato de memória | FLASH |
| Número do produto base | S34MS01 | Tempo de acesso | 45 ns |
| Download | S34MS01G200BHI000 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
S34MS01G200BHI000
Introdução
O S34MS01G200BHI000 é um módulo de memória Flash NAND de não volatilidade com tamanho de memória de 1Gbit, organizado em uma configuração de 128M x 8.
Marca e Fabricante
Marca: Tecnologias Infineon
Fabricante: Tecnologias Infineon
Características
Tipo de memória de não volatilidade
Formato de memória FLASH
Interface de memória paralela
Tempo de ciclo de gravação de 45ns
Tempo de acesso de 45ns
Faixa de temperatura de operação ampla de -40°C a 85°C
Tipo de montagem em superfície
Embalagem em um invólucro 63-VFBGA
Desempenho do Produto
Desempenho confiável com um tempo de ciclo de gravação de 45ns
Tempo de acesso rápido de 45ns
Opera de forma eficiente em temperaturas que variam de -40°C a 85°C
Especificações Técnicas
Tamanho de memória: 1Gbit
Organização de memória: 128M x 8
Tensão de alimentação: 1.7V a 1.95V
Embalagem/Caixa: 63-VFBGA
Embalagem do dispositivo do fornecedor: 63-BGA (11x9)
Dimensões, Forma e Embalagem
Embalagem/Caixa: 63-VFBGA
Embalagem do dispositivo do fornecedor: 63-BGA (11x9)
Qualidade e Confiabilidade
Fabricado pelas Tecnologias Infineon, conhecido por produzir componentes eletrônicos de alta qualidade
Projetado para confiabilidade e durabilidade em várias aplicações
Vantagens do Produto
Tamanho de memória alto para armazenar grandes quantidades de dados
Tempos de gravação e acesso rápidos para manipulação eficiente de dados
Faixa de temperatura de operação ampla para versatilidade em diferentes ambientes
Competitividade do Produto
Desempenho e recursos competitivos em comparação com outros módulos de memória Flash NAND de não volatilidade
Compatibilidade
Compatível com sistemas que exigem módulos de memória Flash NAND paralela
Certificação e Conformidade com Normas
Pode estar em conformidade com certificações padrão da indústria para componentes eletrônicos
Duração e Sustentabilidade
Expectativa de vida típica dos módulos de memória Flash NAND
Pode aderir a regulamentos e padrões ambientais para componentes eletrônicos
Áreas de Aplicação
Utilizado em vários dispositivos e sistemas eletrônicos que requerem armazenamento de memória de não volatilidade, como eletrônicos de consumo, aplicações industriais, sistemas automotivos e mais.
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| Ações S34MS01G200BHI000 | Preço S34MS01G200BHI000 | S34MS01G200BHI000 Electronics |
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| Fornecedor S34MS01G200BHI000 | Ordem S34MS01G200BHI000 Online | Inquérito S34MS01G200BHI000 |
| Imagem S34MS01G200BHI000 | Imagem S34MS01G200BHI000 | S34MS01G200BHI000 PDF |
| Folha de dados S34MS01G200BHI000 | Download da folha de dados S34MS01G200BHI000 | Fabricante Cypress Semiconductor |
