Modelo do Produto

SIS128LDN-T1-GE3

Introdução

MOSFET de canal N para aplicações de comutação de potência

Marca e Fabricante

Vishay

Características

Tecnologia MOSFET (Óxido Metálico)

Canal N para maior eficiência na comutação

Isento de chumbo (Pb) e livre de halogênio

Baixa resistência em condução Rds(on)

Desempenho do Produto

Alta capacidade de corrente de dreno contínua

Desempenho térmico excelente

Operacional entre -55°C e 150°C

Especificações Técnicas

Tensão Dreno-Fonte Vdss de 80 V

Corrente de Dreno Contínua Id de 10,2 A a TA

Corrente de Dreno Contínua Id de 33,7 A a TC

Rds On de 15,6 mOhm a 10A, 10V

Tensão de Limiar de Porta Vgs(th) de 2,5 V a 250 uA

Carga de Porta Qg de 30 nC a 10V

Capacitância de Entrada Ciss de 1250 pF a 40V

Dimensões, Forma e Embalagem

Tipo Embalagem PowerPAK 1212-8

Tipo de Montagem em Superfície

Qualidade e Confiabilidade

Construção de alta qualidade para confiabilidade a longo prazo

Vantagens do Produto

Otimizado para comutação rápida

Baixas perdas em condução

Densidade de potência melhorada

Competitividade do Produto

Competitivo no mercado de MOSFETs de potência de alto desempenho

Compatibilidade

Compatível com montagem em superfície para design moderno de PCB

Certificação e Conformidade com Normas

Isento de chumbo (Pb) e livre de halogênio para conformidade com RoHS

Duração e Sustentabilidade

Projetado para longa vida operacional

Uso sustentável de materiais

Áreas de Aplicação

Aplicações de gestão de potência

Sistemas de computação e armazenamento

Conversores DC/DC

Motor drives

Suprimentos de potência de modo de comutação

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