Modelo do Produto

SKM40GD121DL1

Introdução

Módulo IGBT

Marca e Fabricante

Semikron International

Características

Tecnologia de Transistor Bipolar de Porta Integrada (IGBT)

Formato de módulo integrando múltiplos dispositivos semicondutores

Adequado para aplicações de comutação de alta eficiência e alta velocidade

Desempenho do Produto

Alto desempenho térmico

Baixa queda de tensão no estado ligado

Capacidade de comutação rápida

Capacidade de manuseio de potência melhorada

Especificações Técnicas

Tensão Coletor-Emissor: 1200 V

Corrente Coletor: 40 A

Dissipação de Potência: Especificada pelas condições de aplicação e medidas de refrigeração

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem padrão de módulo

Tamanho compacto para integração em várias montagens eletrônicas

Embalagem protetora para transporte e armazenamento seguros

Qualidade e Confiabilidade

Testes rigorosos para durabilidade sob alto estresse elétrico

Desempenho confiável em ambientes exigentes

Vantagens do Produto

Alta eficiência nos processos de conversão de energia

Redução da complexidade do sistema através do design integrado

Competitividade do Produto

Posição competitiva no mercado de eletrônica de potência

Oferece benefícios de desempenho em relação a soluções de componentes discretos

Compatibilidade

Compatível com drivers e circuitos IGBT padrão

Flexível para uso em uma variedade de sistemas eletrônicos

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre padrões internacionais de segurança e desempenho

Conforme com regulamentos RoHS e outras normas ambientais

Duração e Sustentabilidade

Projetado para longa vida operacional sob cargas elétricas típicas

Foco na sustentabilidade através do uso eficiente de materiais e energia

Áreas de Aplicação

Transmissões de veículos elétricos

Inversores de energia solar

Motores de indução industriais

Aplicações de comutação de alta potência

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