| SCTW90N65G2V | |
|---|---|
| Modelo do Produto | SCTW90N65G2V |
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descrição | SICFET N-CH 650V 90A HIP247 |
| Quantidade Disponível | 478 pcs in stock |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.SCTW90N65G2V.pdf2.SCTW90N65G2V.pdf3.SCTW90N65G2V.pdf |
| SCTW90N65G2V Price |
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| Informações técnicas da SCTW90N65G2V | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | SCTW90N65G2V | Categoria | |
| Fabricante | ST | Descrição | SICFET N-CH 650V 90A HIP247 |
| Pacote / Caso | HiP247™ | Quantidade Disponível | 478 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | HiP247™ |
| Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Dissipação de energia (Max) | 390W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-247-3 |
| Pacote | Tube | Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 400 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 18V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Número do produto base | SCTW90 |
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