Modelo do Produto

RJP4002ANS-00-Q1

Introdução

IGBT de canal N para painéis de display de plasma

Marca e Fabricante

Renesas Technology Corp

Características

Comutação em alta velocidade, diodo de recuperação rápida embutido, baixa tensão de saturação

Desempenho do Produto

Excelente desempenho térmico, alta tensão de ruptura, tempos de comutação superiores

Especificações Técnicas

Tecnologia IGBT, tipo MOSFET de canal N, 600V de tensão coletor-emissor, 20A de corrente coletor

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote TO-263 (D2PAK), formato retangular, fornecido em fita e bobina

Qualidade e Confiabilidade

Materiais de alta qualidade, construção robusta, conformidade com padrões de confiabilidade da indústria

Vantagens do Produto

Operação energeticamente eficiente, durabilidade aprimorada, otimizado para aplicações de comutação de PDP

Competitividade do Produto

Preço competitivo, relação favorável entre desempenho e custo, ideal para produção em grande volume

Compatibilidade

Compatível com circuitos de acionamento de PDP padrão, fácil integração com designs existentes

Certificação e Conformidade com Normas

Atende aos padrões RoHS, em conformidade com regulamentos de segurança específicos da indústria

Duração e Sustentabilidade

Longa vida operacional em condições típicas, componentes ecológicos

Áreas de Aplicação

Fabricação de Painéis de Display de Plasma (PDP), aplicações de comutação de alta tensão, reparo e manutenção de eletrônicos de consumo

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