Modelo do Produto

QM800HA24B

Introdução

Módulo IGBT

Marca e Fabricante

Mitsubishi Electric Semiconductor

Características

Tecnologia IGBT de alta eficiência

Baixa perda de energia

Capacidade de comutação de alta velocidade

Diodo integrado para aplicações de roda livre

Desempenho do Produto

Desempenho térmico aprimorado

Eficiência elétrica melhorada

Durável em operações de alta frequência

Capaz de suportar alta potência e tensão

Especificações Técnicas

Tipo: Módulo IGBT

Configuração: Dual

Tensão Coletor-Emissor: 1200 V

Corrente de Coletor: 800 A

Dimensões, Forma e Embalagem

Módulo retangular

Embalagem industrial padrão

Dimensões adaptadas para instalação compacta

Qualidade e Confiabilidade

Alta confiabilidade em condições extremas

Longa vida operacional

Padrões rigorosos de testes de qualidade

Vantagens do Produto

Redução do consumo de energia

Custos operacionais mais baixos devido à eficiência

Alta saída de potência

Competitividade do Produto

Desempenho líder em aplicações de alta potência

Competitivo em mercados que exigem alta confiabilidade e eficiência

Compatibilidade

Compatível com drivers e sistemas IGBT padrão

Integração flexível em configurações existentes

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre as normas internacionais de semicondutores

Certificado para segurança e impacto ambiental

Duração e Sustentabilidade

Projetado para uso prolongado

Ênfase no baixo impacto ambiental através de desempenho eficiente

Áreas de Aplicação

Drives de motores industriais

Sistemas de geração de energia

Conversores de energia renovável

Inversores e conversores de alta potência

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