Modelo do Produto

QM150DY-24K

Introdução

Módulo IGBT projetado para aplicações de comutação de alta potência

Marca e Fabricante

Mitsubishi Electric Semiconductor

Características

Capacidade de comutação de alta velocidade, Voltagem de saturação baixa, Diodo de desencadeamento embutido, Impedância de entrada alta

Desempenho do Produto

Capacidades eficientes de manipulação de potência, Adequado para operações de alta frequência, Desempenho térmico robusto

Especificações Técnicas

Tensão Coletor-Emissor: 1200 V, Corrente Coletor: 150 A, Dissipação de Potência: Varia conforme as condições de uso

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem padrão do módulo, Forma retangular, Dimensões específicas da série do produto

Qualidade e Confiabilidade

Construído para suportar aplicações industriais rigorosas, Longa vida operacional com degradação mínima

Vantagens do Produto

Eficiência aprimorada na conversão de potência, Redução na geração de calor durante a operação

Competitividade do Produto

Concorre com módulos IGBT similares de fabricantes como Infineon, Fuji Electric

Compatibilidade

Compatível com várias tensões de acionamento de porta, Integra-se facilmente em sistemas existentes com design de módulo padrão

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre normas internacionais de semicondutores

Duração e Sustentabilidade

Projetado para durabilidade a longo prazo, Sustentabilidade através de operação eficiente em termos de energia

Áreas de Aplicação

Tração de veículos elétricos, Inversores de energia renovável, Motores industriais, Sistemas de gestão de potência

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