Modelo do Produto

CM400DY-12E

Introdução

Módulo de transistor de potência IGBT.

Marca e Fabricante

Semicondutor Mitsubishi Electric

Características

Tecnologia de Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT), capacidade de alta tensão de 600V, baixa perda de potência e alta eficiência, comutação de alta velocidade.

Desempenho do Produto

Tensão coletor-emissor (Vces) de 600V, corrente coletora (Ic) de 400A, baixa resistência térmica, durabilidade e operação robusta aprimoradas.

Especificações Técnicas

Tensão saturada coletor-emissor típica de 2,3V, tensão de limiar porta-emissor típica de 5,0V.

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote de módulo, dimensões padronizadas para compatibilidade, design encapsulado para proteção.

Qualidade e Confiabilidade

Testado em condições rigorosas, cumprindo padrões de qualidade industriais.

Vantagens do Produto

Alta capacidade de potência e corrente, operação eficiente em termos de energia, perdas de comutação e condução reduzidas.

Competitividade do Produto

Relação competitiva entre preço e desempenho em sua categoria, operação confiável e longevidade no campo.

Compatibilidade

Compatível com drivers e dissipadores de calor IGBT padrão, uso em diversas aplicações de potência com classificações compatíveis de tensão e corrente.

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme padrões internacionais de semicondutores, compatível com RoHS, garantindo segurança ambiental.

Duração e Sustentabilidade

Projetado para longa vida útil operacional, robusto contra condições operacionais flutuantes.

Áreas de Aplicação

Uso em aplicações de gerenciamento de potência, ideal para inversores, conversores e motores de acionamento, aplicável em sistemas de energia renovável, transporte e equipamentos industriais.

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