Modelo do Produto

H5MS5122DFR-E3M

Introdução

IC de memória projetado para aplicações especializadas

Marca e Fabricante

Hynix Semiconductor

Características

Alta velocidade de transferência de dados, baixo consumo de energia, design compacto, adequado para aplicações de computação de alto desempenho

Desempenho do Produto

Capacidades eficientes de manipulação de dados, recursos robustos de correção de erros, alta confiabilidade em condições operacionais variáveis

Especificações Técnicas

Tipo: Circuito Integrado Especializado, Tipo de Memória: DRAM, Interface: Serial

Dimensões, Forma e Embalagem

Formato compacto, embalagem padrão de IC para integração em vários tipos de dispositivos

Qualidade e Confiabilidade

Fabricado para atender a padrões de qualidade rigorosos, testado para durabilidade e consistência de desempenho

Vantagens do Produto

Otimizado para eficiência e velocidade, durabilidade aprimorada, baixo custo operacional devido à eficiência energética

Competitividade do Produto

Altamente competitivo nos mercados de ICs especializados, escolha preferida para aplicações de alto desempenho

Compatibilidade

Compatível com uma variedade de microcontroladores e processadores, fácil integração em sistemas tecnológicos existentes

Certificação e Conformidade com Normas

Cumprimento de padrões eletrônicos internacionais, certificado para regulamentações ambientais e de segurança

Duração e Sustentabilidade

Projetado para uso de longo prazo, componentes selecionados para sustentabilidade ambiental

Áreas de Aplicação

Utilizado em dispositivos de computação e telecomunicações, aplicável em sistemas automotivos e industriais

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