Modelo do Produto

H5TQ4G63EFR-TEC

Introdução

Um Circuito Integrado (CI) especializado projetado para aplicações de memória de alta velocidade.

Marca e Fabricante

SK HYNIX

Características

Alta taxa de transferência de dados, baixo consumo de energia, grande capacidade de armazenamento, processo de fabricação avançado.

Desempenho do Produto

Integridade de dados confiável, desempenho térmico superior, operação de alta velocidade, suporte a ampla faixa de temperatura.

Especificações Técnicas

DDR3 SDRAM, densidade de 4Gb, tecnologia TSV (Through Silicon Via).

Dimensões, Forma e Embalagem

Formato compacto, embalagem de CI padrão adequada para montagem em superfície, embalado em bandejas ou em fita e bobina para montagem automática.

Qualidade e Confiabilidade

Controle de qualidade rigoroso, resistente a condições ambientais, comprovada confiabilidade em campo.

Vantagens do Produto

Construído por um líder de confiança da indústria, capacidades de dados de alta velocidade, design eficiente em termos de energia.

Competitividade do Produto

Solução econômica para aplicações intensivas em memória, compete com produtos de memória de ponta.

Compatibilidade

Compatível com interfaces DDR3 SDRAM padrão, funciona com uma ampla gama de microprocessadores e controladores.

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre os padrões aplicáveis JEDEC, em conformidade com as regulamentações RoHS.

Duração e Sustentabilidade

Longa vida operacional, projetado para uso contínuo.

Áreas de Aplicação

Computadores pessoais, servidores, equipamentos de rede, sistemas de telecomunicações.

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