Modelo do Produto

BFG235E6327

Introdução

Transistor Bipolar RF de Silício de Baixo Ruído

Marca e Fabricante

Infineon Technologies

Características

Figura de Ruído Baixa, Ganho Alto em Altas Frequências, Frequência de Transição Tipicamente 8 GHz, Corrente Coletora Até 25 mA, Tensão Base-Emissor 3V

Desempenho do Produto

Excelente Linearidade, Alto Retorno de Perda de Entrada e Saída, Otimizado para Operação de Baixa Tensão, Projetado para Aumento e Mistura RF

Especificações Técnicas

Tipo: NPN, Embalagem: SOT-23, Tensão Coletor-Emissor: 12 V, Tensão Coletor-Base: 20 V, Tensão Base-Emissor: 3 V

Dimensões, Forma e Embalagem

Embalagem SOT-23, Forma Compacta, Fornecido em Rolo e Reel para Montagem Automatizada

Qualidade e Confiabilidade

Fabricado sob rigorosos controles de qualidade, Robusto contra variáveis ambientais

Vantagens do Produto

Desempenho Superior de Figura de Ruído, Ideal para Aplicações de Alta Frequência, Muito Eficiente para Circuitos RF

Competitividade do Produto

Preços Competitivos no Mercado de CI Especializados, Desempenho Otimizado para Aplicações de Alto Demanda

Compatibilidade

Compatível com Técnicas Comuns de Montagem SMT, Fácil Integração em Projetos de Circuito Existentes

Certificação e Conformidade com Normas

Cumpre Especificações de Padrões da Indústria, Conforme REACH e RoHS

Duração e Sustentabilidade

Longo Prazo de Operação sob Condições Recomendadas, Projetado para Operação Eficiente em Energia

Áreas de Aplicação

Amplificadores RF em Comunicação Móvel, Receptores de TV por Satélite, Osciladores em Eletrônicos Industriais e de Consumo, Aplicações de LAN Sem Fio

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