| NVGS5120PT1G | |
|---|---|
| Modelo do Produto | NVGS5120PT1G |
| Fabricante | onsemi |
| Descrição | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP |
| Quantidade Disponível | 70000 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.NVGS5120PT1G.pdf2.NVGS5120PT1G.pdf3.NVGS5120PT1G.pdf4.NVGS5120PT1G.pdf |
| NVGS5120PT1G Price |
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| Informações técnicas da NVGS5120PT1G | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | NVGS5120PT1G | Categoria | |
| Fabricante | onsemi | Descrição | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP |
| Pacote / Caso | 6-TSOP | Quantidade Disponível | 70000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-TSOP |
| Série | Automotive, AEC-Q101 | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 111mOhm @ 2.9A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 600mW (Ta) | Caixa / Gabinete | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 942 pF @ 30 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 18.1 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Número do produto base | NVGS5120 | ||
| Download | NVGS5120PT1G PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
NVGS5120PT1G
Introdução
MOSFET de Canal P que proporciona gerenciamento de energia eficiente
Marca e Fabricante
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Características
Tecnologia MOSFET, Tipo Canal P, Dissipação de energia eficiente, Adequado para comutação em alta velocidade, Dispositivo montado em superfície, Compatível com RoHS
Desempenho do Produto
Opera em temperaturas que variam de -55°C a 150°C, Suporta continuamente corrente de dreno de 1.8A a temperatura ambiente de 25°C, Oferece baixa Rds(on) de 111 mOhm a 2.9A e 10V
Especificações Técnicas
Tensão de Dreno a Fonte (Vdss) 60V, Tensão Limite de Porta a Fonte (Vgs(th)) até 3V, Carga de Porta (Qg) 18.1nC a 10V, Capacitância de Entrada (Ciss) 942pF a 30V, Tensão de Acionamento 4.5V (Rds On mínimo), 10V (Rds On máximo)
Dimensões, Forma e Embalagem
Invólucro SOT-23-6, Pacote 6-TSOP, Embalagem Cut Tape (CT)
Qualidade e Confiabilidade
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1
Vantagens do Produto
Alta eficiência e baixa resistência em estado ligado para economia de energia, Fator de forma compacto para aplicações com espaço limitado
Competitividade do Produto
Faixa de temperatura estendida para diversas condições ambientais, Alta tensão de dreno e suporte contínuo de corrente
Compatibilidade
Compatível com tecnologia de montagem em superfície
Certificação e Conformidade com Normas
Sem chumbo, Conforme RoHS
Duração e Sustentabilidade
Durável com ampla faixa de temperatura operacional
Áreas de Aplicação
Gerenciamento de energia para uma ampla gama de aplicações eletrônicas, Adequado para eletrônicos de consumo, automotivo e uso industrial
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| Ações NVGS5120PT1G | Preço NVGS5120PT1G | NVGS5120PT1G Electronics | |||
| Componentes NVGS5120PT1G | Inventário NVGS5120PT1G | NVGS5120PT1G Digikey | |||
| Fornecedor NVGS5120PT1G | Ordem NVGS5120PT1G Online | Inquérito NVGS5120PT1G | |||
| Imagem NVGS5120PT1G | Imagem NVGS5120PT1G | NVGS5120PT1G PDF | |||
| Folha de dados NVGS5120PT1G | Download da folha de dados NVGS5120PT1G | Fabricante | |||
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