NTD4809NHT4G | |
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Modelo do Produto | NTD4809NHT4G |
Fabricante | onsemi |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK |
Quantidade Disponível | 5232 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.NTD4809NHT4G.pdf2.NTD4809NHT4G.pdf3.NTD4809NHT4G.pdf4.NTD4809NHT4G.pdf5.NTD4809NHT4G.pdf |
NTD4809NHT4G Price |
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Informações técnicas da NTD4809NHT4G | |||
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Número de peça do fabricante | NTD4809NHT4G | Categoria | |
Fabricante | onsemi | Descrição | MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK |
Pacote / Caso | DPAK | Quantidade Disponível | 5232 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | DPAK |
Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 9mOhm @ 30A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 12 V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 11.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 30 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
Número do produto base | NTD48 | ||
Download | NTD4809NHT4G PDF - EN.pdf |
NTD4809NHT4G
MOSFET de canal N para aplicações de comutação de potência
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Tecnologia MOSFET de canal N; Pacote montado em superfície; Alta tensão de dreno para fonte de 30V; Alta corrente contínua de dreno de 58A a Tc
Opera em temperaturas entre -55°C a 175°C; Rds On de 9 mOhm a 30A, 10V; Carga de porta de 15nC a 4,5V
Tipo de FET: Canal N; Tensão de limiar de porta (Vgs(th)) máxima de 2.5V
Pacote TO-252-3, DPAK montado em superfície; Embalado em fita e carretel (TR) para montagem automatizada
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1 para vida útil ilimitada
Eficiente em termos de energia com baixo Rds(on); Capaz de lidar com altas cargas de corrente
Posicionado competitivamente entre os MOSFETs para aplicações de potência
Compatível com processos padrão de montagem em superfície
Conforme RoHS, indicando fabricação livre de chumbo
Construção durável projetada para uma longa vida operacional
Utilizado em várias aplicações de comutação de potência em eletrônicos
Ações NTD4809NHT4G | Preço NTD4809NHT4G | NTD4809NHT4G Electronics | |||
Componentes NTD4809NHT4G | Inventário NTD4809NHT4G | NTD4809NHT4G Digikey | |||
Fornecedor NTD4809NHT4G | Ordem NTD4809NHT4G Online | Inquérito NTD4809NHT4G | |||
Imagem NTD4809NHT4G | Imagem NTD4809NHT4G | NTD4809NHT4G PDF | |||
Folha de dados NTD4809NHT4G | Download da folha de dados NTD4809NHT4G | Fabricante |
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Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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