| NTD2955G | |
|---|---|
| Modelo do Produto | NTD2955G |
| Fabricante | onsemi |
| Descrição | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Quantidade Disponível | 10511 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.NTD2955G.pdf2.NTD2955G.pdf3.NTD2955G.pdf4.NTD2955G.pdf5.NTD2955G.pdf6.NTD2955G.pdf |
| NTD2955G Price |
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| Informações técnicas da NTD2955G | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | NTD2955G | Categoria | |
| Fabricante | onsemi | Descrição | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| Pacote / Caso | DPAK | Quantidade Disponível | 10511 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | DPAK |
| Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 55W (Tj) | Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacote | Tube | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Número do produto base | NTD29 | ||
| Download | NTD2955G PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
NTD2955G
Introdução
MOSFET de canal P para gerenciamento de energia de alta eficiência
Marca e Fabricante
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Características
MOSFET de canal P
Baixa Rds(on) para maior eficiência
Alta corrente contínua de 12A a 25°C
Adequado para aplicações PWM
Desempenho do Produto
Corrente de Drenagem Contínua: 12A
Tensão de Drenagem para Fonte: 60V
Rds On: 180 mOhm
Carga do Gate: 30nC
Opera em temperaturas que variam de -55°C a 175°C
Especificações Técnicas
Dissipação de Potência: 55W
Tensão de Acionamento: 10V
Capacitância de Entrada: 750pF
Tensão Gate-Fonte: ±20V
Dimensões, Forma e Embalagem
DPAK de Montagem Superficial TO-252-3
Embalado em tubos
Qualidade e Confiabilidade
Alto desempenho térmico
Nível de Sensibilidade à Umidade 1
Vantagens do Produto
Baixa resistência de condução para redução de perda de potência
Alta tensão de limiar para operação robusta
Competitividade do Produto
Otimizado para eficiência de energia
Adequado para uma ampla gama de condições de operação
Compatibilidade
Compatível com processos padrão de montagem superficiais
Certificação e Conformidade com Normas
Conforme RoHS
Livre de Chumbo
Duração e Sustentabilidade
Projetado para longa vida operacional
Áreas de Aplicação
Reguladores de comutação
Gerenciamento de energia em eletrônicos de consumo
Aplicações de controle de motor
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| Ações NTD2955G | Preço NTD2955G | NTD2955G Electronics | |||
| Componentes NTD2955G | Inventário NTD2955G | NTD2955G Digikey | |||
| Fornecedor NTD2955G | Ordem NTD2955G Online | Inquérito NTD2955G | |||
| Imagem NTD2955G | Imagem NTD2955G | NTD2955G PDF | |||
| Folha de dados NTD2955G | Download da folha de dados NTD2955G | Fabricante | |||
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| Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
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NTD2955-001 | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | onsemi | ||
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NTD2955-1G | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | onsemi | ||
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NTD2955T4G IC | ON TO252 | ON | ||
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