| MMDF3N02HDR2 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | MMDF3N02HDR2 |
| Fabricante | onsemi |
| Descrição | MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC |
| Quantidade Disponível | 2985 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.MMDF3N02HDR2.pdf2.MMDF3N02HDR2.pdf3.MMDF3N02HDR2.pdf |
| MMDF3N02HDR2 Price |
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| Informações técnicas da MMDF3N02HDR2 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | MMDF3N02HDR2 | Categoria | |
| Fabricante | onsemi | Descrição | MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC |
| Pacote / Caso | 8-SOIC | Quantidade Disponível | 2985 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | 8-SOIC |
| Série | - | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 90mOhm @ 3A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 2W (Ta) | Caixa / Gabinete | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote | Tape & Reel (TR) | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 16 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
| Número do produto base | MMDF3 | ||
| Download | MMDF3N02HDR2 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
MMDF3N02HDR2
Introdução
MOSFET P-Channel para aplicações de comutação de potência
Marca e Fabricante
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Características
Tecnologia MOSFET P-Channel, embalagem 8-SOIC de montagem em superfície, alta capacidade de dissipação de potência, tensão de dreno a fonte (Vdss) de 20V, corrente contínua de dreno (Id) de 3,8A a 25°C
Desempenho do Produto
Rds (On) efetivo de 90 mOhms a 3A, 10V; tensão de limiar do gate (Vgs th) máxima de 2V a 250µA; carga do gate (Qg) máxima de 18nC a 10V; capacitância de entrada (Ciss) máxima de 630pF a 16V; tensão de acionamento máxima Rds On: 4,5V, mínima Rds On: 10V
Especificações Técnicas
Tecnologia MOSFET de Óxido Metálico; faixa de temperatura de operação de -55°C a 150°C; tipo de montagem em superfície; nível de sensibilidade à umidade (MSL) de 1 (ilimitado)
Dimensões, Forma e Embalagem
Embalagem 8-SOIC (0.154", 3.90mm de largura); embalado em fita e carretel (TR) para montagem automatizada
Qualidade e Confiabilidade
Certificado de nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Vantagens do Produto
Alta capacidade de corrente contínua de dreno; adequado para uma ampla faixa de temperaturas de operação
Competitividade do Produto
Ampla faixa de temperatura de operação confere versatilidade; altas classificações de potência e corrente para seu fator de forma
Compatibilidade
Montagem em superfície compatível com processos comuns de montagem de PCB; desempenho maximizado com tensão de acionamento do gate de 4,5V a 10V
Certificação e Conformidade com Normas
Status Livre de Chumbo / Conformidade RoHS: contém chumbo / não conforme RoHS
Duração e Sustentabilidade
Vida útil prolongada dentro das condições de operação especificadas; não conforme RoHS devido ao uso de chumbo, implicando sustentabilidade limitada
Áreas de Aplicação
Aplicações de gerenciamento de potência; aplicações de comutação em diversos dispositivos eletrônicos
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| Imagem MMDF3N02HDR2 | Imagem MMDF3N02HDR2 | MMDF3N02HDR2 PDF | |||
| Folha de dados MMDF3N02HDR2 | Download da folha de dados MMDF3N02HDR2 | Fabricante | |||
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