Modelo do Produto

KSC2690AYS

Introdução

Transistor Bipolar NPN para Amplificação e Comutação

Marca e Fabricante

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Características

Transistor NPN, Alta Capacidade de Tensão, Baixa Tensão de Saturação, Alta Velocidade de Comutação

Desempenho do Produto

Alto Tensão de Quebra Coletor-Emissor, Alto Ganho de Corrente DC, Capaz de Acionar Cargas de Corrente Moderada, Alta Frequência de Transição

Especificações Técnicas

Tipo de Transistor: NPN, Potência - Máx: 1,2W, Corrente - Coletor (Ic) (Máx): 1,2A, Tensão - Quebra Coletor-Emissor (Máx): 160V, Vce Saturação (Máx) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Corrente - Corte do Coletor (Máx): 1A (ICBO), Ganho de Corrente DC (hFE) (Mín) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V, Frequência - Transição: 155MHz

Dimensões, Forma e Embalagem

Montagem em Furos Passantes, Pacote / Caixa: TO-225AA, TO-126-3, Pacote do Fornecedor: TO-126-3, Embalagem: a Granel

Qualidade e Confiabilidade

Altos Padrões de Qualidade, Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL): 1 (Ilimitado)

Vantagens do Produto

Desempenho Térmico Robusto, Longa Vida Operacional

Competitividade do Produto

Preço Competitivo, Disponibilidade em Grande Escala

Compatibilidade

Compatível com Montagem em Placa de Circuito Impresso (PCB) com Furos Passantes

Certificação e Conformidade com Normas

Conforme com RoHS, Livre de Chumbo

Duração e Sustentabilidade

Projetado para Longa Duração em Circuitos Eletrônicos

Áreas de Aplicação

Gerenciamento de Potência, Comutação e Amplificação em Eletrônicos de Consumo, Controle de Equipamentos Industriais, Circuitos de Telecomunicação

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