| HUF75345P3 | |
|---|---|
| Modelo do Produto | HUF75345P3 |
| Fabricante | onsemi |
| Descrição | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 |
| Quantidade Disponível | 2779 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
| Modelo ECAD | |
| Folhas de dados | 1.HUF75345P3.pdf2.HUF75345P3.pdf3.HUF75345P3.pdf4.HUF75345P3.pdf5.HUF75345P3.pdf6.HUF75345P3.pdf7.HUF75345P3.pdf |
| HUF75345P3 Price |
Solicitar preço e tempo de entrega online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informações técnicas da HUF75345P3 | |||
|---|---|---|---|
| Número de peça do fabricante | HUF75345P3 | Categoria | |
| Fabricante | onsemi | Descrição | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 |
| Pacote / Caso | TO-220-3 | Quantidade Disponível | 2779 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-220-3 |
| Série | UltraFET™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 7mOhm @ 75A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | 325W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-220-3 |
| Pacote | Tube | Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 25 V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 20 V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 55 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Número do produto base | HUF75345 | ||
| Download | HUF75345P3 PDF - EN.pdf | ||
Modelo do Produto
HUF75345P3
Introdução
MOSFET N-Channel de 55V e 75A projetado para aplicações de alta potência
Marca e Fabricante
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Características
MOSFET N-Channel, Montagem Through Hole, Livre de chumbo e em conformidade com RoHS
Desempenho do Produto
Temperatura de Operação de -55°C a 175°C, Dissipação de Potência Máxima de 325W, Corrente de Drenagem Contínua de 75A a 25°C, Baixa Resistência de Ligação de 7 mOhm
Especificações Técnicas
Tensão de Drenagem a Fonte (Vdss) de 55V, Tensão de Limiar Gate-Source (Vgs th) de 4V a 250µA, Carga de Gate (Qg) de 275nC a 20V, Capacitância de Entrada (Ciss) de 4000pF a 25V, Tensão de Condução de 10V
Dimensões, Forma e Embalagem
Pacote / Caixa: TO-220-3, Pacote de Dispositivo do Fornecedor: TO-220AB, Embalagem em Tubo
Qualidade e Confiabilidade
Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) de 1 (Ilimitado)
Vantagens do Produto
Alta eficiência com baixa resistência de ligação, Desempenho térmico robusto
Competitividade do Produto
Alta capacidade de corrente e manuseio aprimorado de potência, Competitivo em aplicações de comutação de alta potência
Compatibilidade
Compatível com tensões padrão de acionamento de MOSFET
Certificação e Conformidade com Normas
Status Livre de Chumbo / Status RoHS: Livre de chumbo / Conformidade com RoHS
Duração e Sustentabilidade
Projetado para confiabilidade a longo prazo em condições extremas
Áreas de Aplicação
Fontes de alimentação, Controle de motores, Inversores, Reguladores de comutação
Envie-nos um email: Info@Ariat-Tech.com ou RFQ HUF75345P3 Online.
| Ações HUF75345P3 | Preço HUF75345P3 | HUF75345P3 Electronics | |||
| Componentes HUF75345P3 | Inventário HUF75345P3 | HUF75345P3 Digikey | |||
| Fornecedor HUF75345P3 | Ordem HUF75345P3 Online | Inquérito HUF75345P3 | |||
| Imagem HUF75345P3 | Imagem HUF75345P3 | HUF75345P3 PDF | |||
| Folha de dados HUF75345P3 | Download da folha de dados HUF75345P3 | Fabricante | |||
| Peças relacionadas para HUF75345P3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Imagem | Modelo do Produto | Descrição | Fabricante | Obter uma Cotação | |
 |
HUF75344S3ST | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | onsemi | ||
|
HUF75345S3 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | onsemi | ||
 |
HUF75345S | HUF75345S FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
HUF75345P3 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
 |
HUF75344P3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 | Harris Corporation | ||
|
HUF75344S3 | 75A, 55V, 0.008 OHM, N-CHANNEL U | Harris Corporation | ||
|
HUF75345S3ST | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | Fairchild Semiconductor | ||
|
HUF75345P3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 | Harris Corporation | ||
|
HUF75344P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
HUF75345P3_NS2552 | N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
|
HUF75344S3ST | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Fairchild Semiconductor | ||
|
HUF75345P | HUF75345P FSC | FSC | ||
|
HUF75345S3S | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | onsemi | ||
|
HUF75345S3ST MOS | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
HUF75345S3S | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Fairchild Semiconductor | ||
|
HUF75345P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor | ||
 |
HUF75345G3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 | onsemi | ||
|
HUF75344S3S3S 75344S | FAIRCHILD TO-263 | FAIRCHILD | ||
|
HUF75345S3ST | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | onsemi | ||
|
HUF75344S3S3S | FAIRCHILD | |||
Informações
Mais
O Polarfire® SOC FPGA da Microchip recebeu a certificação AEC -Q100, confirmando sua confiabilidade em condições automotivas severas, incluindo a...
O PSOCTM 4000T é o primeiro produto da Infineon a apresentar a tecnologia Capsense ™ de quinta geração da empresa e funcionalidade multissense.Ess...
Um executivo de fornecedores de automóveis revelou que o desenvolvimento de EV no mercado norte -americano parou quando as montadoras optam por prolo...
A Infineon e o EATRON estão expandindo sua colaboração do sistema de gerenciamento de baterias de IA (BMS) para eletrônicos industriais e de consu...
No Semiconductor, anunciou recentemente o lançamento de seu primeiro sensor de tempo de voo em tempo real e em tempo real (ITOF), a série de ID do h...
Novos Produtos
Mais
Sensor fotoelétrico da série PD30 Os sensores fotoelétricos em miniatura de Carlo Gavazzi são de...
Kit de Avaliação XC112 / XR112 para o Radar Coerente Pulsado A111Kit de avaliação XC112 e XR112 da Acconeer com cabos planos flexíveis e suporte ...
Servomotores e Motores MINAS Série A6 A família MINAS A6 da Panasonic garante uma operação está...
Placa de Condutor UV LED Placa de driver UV LED da RayVio para emissores XE e XP1 de emissores UV-C ...
SDRAM de DDR de teste industrial e estendido Os dispositivos DDR SDRAM da Insignis garantem a opera...
O email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ADICIONAR: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Aviso de direitos autorais © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Todos os direitos reservados.