FDA28N50F | |
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Modelo do Produto | FDA28N50F |
Fabricante | onsemi |
Descrição | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
Quantidade Disponível | 9350 pcs new original in stock. Solicitar Stock & Quotation |
Modelo ECAD | |
Folhas de dados | 1.FDA28N50F.pdf2.FDA28N50F.pdf3.FDA28N50F.pdf4.FDA28N50F.pdf5.FDA28N50F.pdf6.FDA28N50F.pdf7.FDA28N50F.pdf8.FDA28N50F.pdf9.FDA28N50F.pdf |
FDA28N50F Price |
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Informações técnicas da FDA28N50F | |||
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Número de peça do fabricante | FDA28N50F | Categoria | |
Fabricante | onsemi | Descrição | MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN |
Pacote / Caso | TO-3PN | Quantidade Disponível | 9350 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-3PN |
Série | UniFET™ | RDS ON (Max) @ Id, VGS | 175mOhm @ 14A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 310W (Tc) | Caixa / Gabinete | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacote | Tube | Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole | Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5387 pF @ 25 V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - | Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 500 V | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Número do produto base | FDA28 | ||
Download | FDA28N50F PDF - EN.pdf |
FDA28N50F
MOSFET N-Channel de 500V e 28A projetado para aplicações de gerenciamento de energia de alta eficiência
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Capacidade de alta tensão de até 500V. Corrente de dreno contínua de 28A a 25°C. Baixo Rds(on) de 175 mOhm maximiza a eficiência. Alta dissipação de potência de 310W. Montagem em furos para fácil instalação.
Opera de forma eficaz dentro de uma faixa de temperatura de -55°C a 150°C. Suporta uma carga de gate de 105nC a 10V. Capacitância de entrada de 5387pF a 25V. Tensão de acionamento de 10V para Rds On ideal.
Tipo de FET: N-Channel. Tensão Dreno para Fonte (Vdss): 500V. Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C: 28A. Rds On (Máx) @ Id, Vgs: 175 mOhm. Vgs(th) (Máx) @ Id: 5V. Carga de Gate (Qg) (Máx) @ Vgs: 105nC. Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds: 5387pF. Tensão de Acionamento (Máx Rds On, Mínimo Rds On): 10V.
Pacote / Caixa: TO-3P-3, SC-65-3. Pacote do Dispositivo Fornecedor: TO-3PN. Embalagem: Tubo.
Isento de chumbo e em conformidade com RoHS. Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL): 1 (Ilimitado).
Elevadas capacidades de tensão e corrente adequadas para aplicações exigentes. Baixa resistência em condução ajuda a reduzir perdas de energia.
Prazo de entrega competitivo de 6 semanas. Parte da série UniFET conhecida pela confiabilidade e desempenho.
Compatível com procedimentos padrão de montagem em furos.
Status Isento de Chumbo / Status RoHS: Isento de chumbo / Em conformidade com RoHS.
Construção durável adequada para aplicações industriais com uma ampla faixa de temperatura de operação.
Unidades de fonte de alimentação, controles de motor, circuitos inversores, fontes de alimentação comutadas.
Ações FDA28N50F | Preço FDA28N50F | FDA28N50F Electronics | |||
Componentes FDA28N50F | Inventário FDA28N50F | FDA28N50F Digikey | |||
Fornecedor FDA28N50F | Ordem FDA28N50F Online | Inquérito FDA28N50F | |||
Imagem FDA28N50F | Imagem FDA28N50F | FDA28N50F PDF | |||
Folha de dados FDA28N50F | Download da folha de dados FDA28N50F | Fabricante |
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