Modelo do Produto

FCA35N60

Introdução

MOSFET N-Channel de alta tensão

Marca e Fabricante

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Características

MOSFET N-Channel, alta tensão de dreno para fonte 600V, corrente contínua de dreno 35A, dissipação de potência 312.5W, baixa Rds (on) 98 mOhm, alta carga de porta 181nC, grande capacitância de entrada 6640pF

Desempenho do Produto

Faixa de temperatura de operação de -55°C a 150°C, alta capacidade de manuseio de corrente, conversão de potência eficiente, baixas perdas por condução

Especificações Técnicas

600V tensão de dreno para fonte (Vdss), 35A corrente contínua de dreno (Id) a 25°C, 312.5W dissipação máxima de potência, 98 mOhm Rds On máximo a 17.5A, 10V

Dimensões, Forma e Embalagem

Tipo de montagem por furo passante, embalagem TO-3P-3, SC-65-3, embalagem em tubo, pacote do dispositivo do fornecedor TO-3PN

Qualidade e Confiabilidade

Nível de Sensibilidade à Umidade (MSL) 1

Vantagens do Produto

Alta eficiência de potência, facilidade de gerenciamento térmico, desempenho de comutação superior

Competitividade do Produto

Competitivo em aplicações de alta tensão

Compatibilidade

Compatível com montagem padrão por furo passante

Certificação e Conformidade com Normas

Livre de chumbo / Conformidade com RoHS

Duração e Sustentabilidade

Robusto e projetado para durabilidade em condições adversas

Áreas de Aplicação

Fontes de alimentação, controle de motores, inversores, conversores, sistemas de gerenciamento de energia

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