FF200R06KE3 Folha de dados, recursos e aplicações industriais
2025-04-03 161

O FF200R06KE3 pela Infineon Technologies é um componente poderoso usado no gerenciamento de alta potência, com eficiência.Este módulo é embalado em um tamanho pequeno, mas oferece alto desempenho com tecnologia IGBT avançada e recursos especiais para melhor eficiência.Este artigo explica os principais recursos, design e benefícios do módulo, enfatizando seu papel em vários aplicativos.

Catálogo

Visão geral do FF200R06KE3

O FF200R06KE3, criado pela Infineon Technologies, é um módulo de transistor bipolar de portão isolado duplo (IGBT) que se destaca com seus 600 V, 200 especificações.Entrada em um pacote compacto de 62 mm, ele combina a tecnologia TrenchStop ™ IGBT3 com um diodo 3 controlado por emissor.Essa integração aumenta a eficiência e o desempenho, tornando -a uma das principais opções para aplicativos que exigem gerenciamento robusto de energia.

Para aqueles que desejam fazer pedidos em massa, o FF200R06KE3 oferece uma solução confiável e de alto desempenho para atender às suas necessidades.

FF200R06KE3 Recursos

• Classificações de tensão e corrente: Capaz de lidar com até 600 V e 200 A, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.

• Tecnologia avançada: Utiliza a TrenchStop ™ IGBT3 e o Emissor controlado por 3 tecnologias de diodo para características otimizadas de comutação, incluindo suavidade aprimorada e perdas de comutação reduzidas.

• Alta temperatura operacional: Projetado para operar em temperaturas de até 150 ° C, garantindo a confiabilidade sob condições exigentes.

• Estilo de montagem: Apresenta um design de montagem de parafuso para instalação segura e direta.

• Certificação UL/CSA: Certificado sob o UL1557 E83336, atendendo a rigorosos padrões de segurança e desempenho.

• Conformidade do ROHS: Cumpre com a restrição da diretiva de substâncias perigosas, refletindo seu design ambientalmente amigável.

FF200R06KE3 Especificações

Valores nominados máximos

Valores característicos

FF200R06KE3 Diagrama do circuito

O diagrama de circuito mostra a estrutura interna do módulo IGBT FF200R06KE3.Possui dois transistores IGBT conectados em uma configuração de meia ponte, o que é comum para trocar aplicativos como inversores e unidades de motor.Os terminais 1 e 3 são os colecionadores de cada IGBT, enquanto os terminais 2 e 4 são os emissores.Cada IGBT é emparelhado com um diodo anti-paralelo, permitindo que a corrente flua na direção oposta durante a comutação.Os terminais 5 e 6 representam os controles do portão para os IGBTs, e o Terminal 7 é uma conexão de emissor compartilhada.Esse layout suporta comutação eficiente e recuperação reversa confiável através dos diodos embutidos.Ele foi projetado para lidar com altas correntes e tensão com perda de energia reduzida.O FF200R06KE3 é uma solução prática para sistemas que precisam de comutação estável e de alto desempenho.

FF200R06KE3 Alternativas

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 APLICAÇÕES

Inversores controlados por frequência

As características de comutação otimizadas do módulo, como perdas de comutação reduzidas e suavidade aprimorada, aumentam o desempenho e a eficiência dos sistemas de inversores.​

Unidades motoras industriais

Capaz de lidar com altas correntes e tensões, o FF200R06KE3 é adequado para controlar grandes motores industriais, fornecendo operação motora confiável e precisa.

Fontes de alimentação

Os recursos de manuseio de alta energia do módulo o tornam ideal para uso em unidades de fonte de alimentação que requerem conversão e gerenciamento eficientes de energia.

Sistemas de energia renovável

Em aplicações como conversão de energia solar e eólica, o FF200R06KE3 pode ser utilizado para gerenciar a transferência e conversão eficientes da energia de fontes renováveis.

FF200R06KE3 Esboço do pacote

O diagrama de embalagem do FF200R06KE3 mostra um layout mecânico detalhado do módulo.Ele usa um alojamento padrão de 62 mm, medindo 106,4 mm de comprimento e 62 mm de largura.O módulo possui três terminais principais para conexões de energia, cada uma espaçada uniformemente a 28 mm de distância, com orifícios de montagem nas duas extremidades para instalação segura.A altura do alojamento é de cerca de 30 mm, incluindo os pinos terminais.Inclui um conector de controle de 7 pinos (DIN46244-A2.8-0.5-BZ) na lateral para controle de sinal de portão e emissor.O desenho também especifica profundidades de montagem (mínimo de 7 mm, máximo de 10 mm) e tolerâncias de acordo com os padrões ISO2768.Este esboço padronizado ajuda a integrar facilmente o módulo em seus designs com montagem e fiação precisas.

FF200R06KE3 Benefícios

Alta eficiência: Utilizando a tecnologia avançada de IGBT, o módulo alcança baixa queda de tensão no estado, resultando em perdas reduzidas de condução e melhoria a eficiência geral.

Desempenho térmico robusto: Projetado para uma boa estabilidade térmica, o FF200R06KE3 pode operar efetivamente sob condições de alta temperatura, garantindo desempenho e longevidade consistentes.

Facilidade de uso: O módulo possui um design de montagem de parafuso, facilitando a instalação direta e segura em vários sistemas.​

Design compacto: Com um comprimento de 106,4 mm, o FF200R06KE3 oferece um fator de forma compacto, permitindo o uso eficiente do espaço dentro de equipamentos e sistemas.​

Fabricante

A Infineon Technologies AG, com sede em Neubiberg, Alemanha, é um dos principais fabricantes globais de semicondutores.Fundada em 1999 como um spin-off da Siemens AG, a Infineon cresceu para se tornar uma das dez principais empresas de semicondutores do mundo.A empresa emprega aproximadamente 58.000 pessoas e relatou vendas de cerca de 15 bilhões de euros em 2024.

FF200R06KE3 vs. FF200R12KE3 Comparação

Parâmetro	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Tensão do coletor-emissor (vCes)	600 v	1200 v
Corrente de colecionador contínuo (iC)	200 a	200 a
Tipo de pacote	62 mm	62 mm
Tecnologia IGBT	Trenchstop ™ IGBT3	Trenchstop ™ IGBT3
Tecnologia de diodo	Diodo 3 controlado por emissor	Diodo de alta eficiência controlado emissor
Temperatura de junção operacional (tVJ op)	Até 150 ° C.	Até 125 ° C.
Tensão de saturação do coletor-emitora (VCesat)	1,9 V em VGe = 15 V, ic = 200 a	2,0 V em VGe = 15 V, ic = 200 a
Capacitância de entrada (CIES)	13.0 NF	14.0 NF
Capacitância de transferência reversa (CRES)	0,5 nf	0,5 nf
Carga do portão (QG)	1,9 µC	1,9 µC
Resistência ao portão interno (RGINT)	3,8 Ω	3,8 Ω
Tempo de atraso de ativação (tvestir))	0,25 µs	0,25 µs
Tempo de subida (TR)	0,09 µs	0,09 µs
Tempo de atraso de desligamento (tD (desligado))	0,55 µs	0,55 µs
Tempo de outono (TF)	0,13 µs	0,13 µs
Dissipação total de energia (Ptot)	680 w	1050 w
Tensão de teste de isolamento (vIsol)	2500 v	2500 v
Peso	340 g	340 g
Estilo de montagem	Montagem do parafuso	Montagem do parafuso
Certificação	UL1557 E83336	UL1557 E83336
ROHS Conformidade	Sim	Sim

Conclusão

Em resumo, o módulo FF200R06KE3 da Infineon Technologies demonstra inovação em gerenciamento de energia.Ele foi projetado para suportar uma ampla gama de aplicativos exigentes com sua alta eficiência e desempenho robusto.Este artigo mostra por que o FF200R06KE3 é uma escolha confiável para quem precisa de soluções avançadas de energia, tornando -a uma ferramenta valiosa em ambientes industriais modernos.

PDF da folha de dados

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