Tudo o que você precisa saber sobre o MG75Q1BS11 Toshiba
2025-03-31 213

O MG75Q1BS11 é um módulo IGBT de alta qualidade feito pela Toshiba, projetado para controlar motores e manusear alta potência.Funciona rápido, economiza energia e é construído para durar.Este artigo explica seus recursos, como funciona, onde é usado e por que é uma ótima opção para sistemas industriais.

Catálogo

MG75Q1BS11 Visão geral

O MG75Q1BS11 é um IGBT de canal n de alto desempenho (transistor bipolar de porta isolado), projetado para exigir controle de motor e aplicações de comutação de alta potência.Ele combina a eficiência da tecnologia IGBT com os recursos de comutação rápida de um MOSFET de energia, tornando -o ideal para uso em unidades industriais, inversores e sistemas de automação.Este módulo oferece excelente manuseio de energia, conversão de energia eficiente e melhor confiabilidade do sistema.Com velocidades rápidas de comutação e baixa perda de energia, ajuda a otimizar o desempenho em ambientes intensivos em energia.O MG75Q1BS11 é amplamente confiável por sua durabilidade e eficácia nas operações industriais, onde o controle consistente e eficiente é crítico.Os compradores que procuram uma solução confiável para sistemas industriais em larga escala podem se beneficiar de seu design e disponibilidade comprovados por meio de fornecedores globais.

Para OEMs, serviços de reparo e distribuidores, agora é o momento perfeito para fazer seus pedidos em massa e garantir um componente confiável para suas necessidades eletrônicas de energia.

MG75Q1BS11 Circuito equivalente

Este diagrama de circuito equivalente para o MG75Q1BS11 representa um módulo de transistor bipolar de portão isolado (IGBT), que combina as características de Ambos os MOSFETs e Transistores bipolares.Neste circuito, G (b) representa o portão (ou base), Assim, C é o coletor, e E é o emissor.O símbolo usado mostra claramente que o dispositivo opera como um IGBT, que é controlado pelo terminal do portão.Quando uma tensão é aplicada entre o portão e o emissor, ele permite o fluxo atual entre o coletor e o emissor.A entrada do portão requer apenas uma pequena tensão para acionar a condução, tornando a energia IGBT eficiente e adequada para aplicações de comutação em alta velocidade, como inversores, acionamentos de motor e fontes de alimentação.O diagrama ajuda os engenheiros a visualizar a função básica de comutação do MG75Q1BS11 e como ele se integra a sistemas eletrônicos de energia mais amplos.

Recursos MG75Q1BS11

• Alta impedância de entrada: Facilita os requisitos fáceis de unidade, permitindo interfaces eficientes com circuitos de controle.

• Comutação de alta velocidade: Garante tempos de resposta rápidos, com um tempo de outono (TF) de 1,0µs (máximo), aumentando o desempenho geral do sistema.

• Baixa tensão de saturação: Reduz as perdas de condução, melhorando a eficiência nas aplicações de conversão de energia.

• Design robusto: Projeto para suportar tensões de alta tensão e corrente, garantindo a confiabilidade em ambientes exigentes.

Aplicativos MG75Q1BS11

• Unidades motoras industriais: Utilizado em unidades de frequência variáveis ​​(v_Fds) e servo unidades para controlar a velocidade e Torque de motores elétricos em máquinas industriais.

• Sistemas HVAC: Usado em Compressores de velocidade variável e ventiladores em aquecimento, ventilação e ar Sistemas de condicionamento para operação com eficiência energética.

MG75Q1BS11 Desenho de esboço

Este desenho de esboço do MG75Q1BS11 fornece especificações dimensionais detalhadas para a embalagem física do módulo IGBT.O módulo tem uma pegada retangular com uma largura de 53 mm e um comprimento de 33 mm, ambos com tolerâncias de ± 0,5 mm.O total altura é aproximadamente 32 mm, garantindo um fator de forma compacto adequado para aplicações com restrição de espaço.

A montagem é facilitada por três Orifícios de parafuso m4e adicional orifícios de alinhamento (Ø2,2 mm) estão incluídos para garantir a instalação segura.O espaçamento e as alturas terminais são definidos com precisão - crítico para conexão elétrica adequada e dissipação de calor.Os terminais do conector aumentam para um altura de 29 mm, com distâncias específicas marcadas para alinhamento e montagem.

MG75Q1BS11 Classificações máximas

Parâmetro Nome (símbolo)	Valor e Unidade
Tensão do coletor-emissor (vCes)	1200 v
Tensão do portão-emissor (vGes)	± 20 V.
Corrente de colecionador contínuo (iC)	75 a
Corrente de colecionador pulsado, 1ms (iCp)	150 a
Dissipação de energia do coletor em tc = 25 ° C (pC)	300 w
Temperatura da junção (tj)	150 ° C.
Faixa de temperatura de armazenamento (tstg)	-40 a +125 ° C
Tensão de isolamento (visol) (AC, 1 minuto)	2500 v
Torque de parafuso (terminal / montagem)	2/3 n · m

MG75Q1BS11 Caracterisíatos elétricos

Parâmetro Nome (símbolo)	Valor e Unidade
Corrente de vazamento do portão (iGes)	± 500 Na
Corrente de corte de colecionador (iCes)	1,0 ma
Tensão do coletor-emissor (vCes)	1200 v
Tensão de corte do portão-emitidor (vGE (Off))	3,0 - 6,0 V
Tensão de saturação do coletor-emitora (VCE (SAT))	2,3 - 2,7 V
Capacitância de entrada (cies)	10500 pf
Tempo de subida (tr)	0,3 - 0,6 µs
Tempo de ativação (tsobre)	0,4 - 0,8 µs
Tempo de outono (tf)	0,6 - 1,0 µs
Tempo de desligamento (tdesligado)	1,2 - 1,6 µs
Resistência térmica, junção ao caso (rTh (J-C))	0,41 ° C/W.

MG75Q1BS11 Benefícios

• Alta eficiência: Graças à sua baixa tensão de saturação e recursos de comutação rápida, o módulo minimiza as perdas de energia durante a operação, levando a uma melhor eficiência geral.

• Requisitos de unidade reduzidos: Com alta impedância de entrada, simplifica o design dos circuitos de unidade de portão, permitindo uma integração mais fácil nos sistemas.

• Desempenho aprimorado do sistema: Seu tempo de resposta rápido aprimora a precisão e o desempenho dos aplicativos de controle e comutação do motor.

• Compacto e confiável: O design robusto garante confiabilidade a longo prazo, mesmo sob tensão de alta tensão e corrente, reduzindo as necessidades de manutenção.

• Solução econômica: Oferece um bom equilíbrio entre desempenho e preço, tornando -o uma escolha econômica para OEMs e usuários industriais.

• Uso versátil: Adequado para uma ampla gama de aplicações, como inversores, conversores de energia e acionamentos de motor, aumentando sua adaptabilidade.

MG75Q1BS11 Questões e solução comuns

• Superaquecimento: Evite danos térmicos usando dissipadores de calor eficientes, almofadas térmicas e sistemas de refrigeração ativos para gerenciar o excesso de calor.

• Falha na unidade do portão: Garanta a operação estável usando um driver de portão classificado e isolado corretamente que atenda aos requisitos de controle do IGBT.

• Condições de curto -circuito ou sobrecorrente: Proteja o módulo de picos de corrente repentina com fusíveis de ação rápida, circuitos de partida suave ou componentes limitadores de corrente.

• Oscilações parasitárias: Minimize o ruído de comutação e a instabilidade otimizando o layout da PCB e adicionando circuitos de amortecedor ou contas de ferrite.

• Falhas de articulação de solda ou conector: Evite fadiga mecânica e térmica usando solda de nível industrial e protegendo o módulo contra vibração ou tensão.

MG75Q1BS11 Produtos alternativos

Comparação: mg75q1bs11 vs mg75q2yl111111

O MG75Q1BS11 e Mg75q2yl1 são módulos IGBT de alta potência (transistor bipolar de porta isolados) projetados para exigir aplicações industriais, principalmente em acionamentos motores e sistemas de comutação de energia.O MG75Q1BS11 , fabricado por Toshiba, está bem estabelecido por seu desempenho confiável, velocidade de comutação rápida, e Gerenciamento térmico eficiente—Ma uma escolha popular nos sistemas de automação e inversor.Por outro lado, o MG75q2yl1 também é categorizado como um Módulo de transistor de potência, embora os detalhes do seu fabricante sejam menos citados em fontes disponíveis.Ambos os módulos estão prontamente disponíveis em fornecedores globais e são adequados para ambientes de comutação de alta potência semelhantes.No entanto, o MG75Q1BS11 se beneficia de documentação mais ampla e apoio de marca confiável, o que pode oferecer confiança adicional no suporte e integração de longo prazo.Para uma comparação precisa baseada em características elétricas, como classificações de tensão, capacidade de corrente e resistência térmica, os usuários devem consultar as respectivas falhas de dados.Isso ajudará a escolher o módulo certo adaptado a requisitos específicos de design.

MG75Q1BS11 Fabricante

O MG75Q1BS11 é feito porToshiba Corporation, estabelecido em 1875 e com sede em Tóquio, Japão, é líder global em eletrônicos e equipamentos elétricos diversificados.A empresa opera em vários setores, incluindo sistemas de energia, infraestrutura social, dispositivos eletrônicos e soluções digitais.A Toshiba é conhecida por sua inovação e qualidade, oferecendo uma ampla gama de produtos, como semicondutores, dispositivos de armazenamento e sistemas industriais.O MG75Q1BS11 está entre os módulos de transistor bipolar (IGBT) isolados de alto desempenho da Toshiba, refletindo o compromisso da empresa em fornecer componentes confiáveis ​​para aplicações de alta potência.

Conclusão

O MG75Q1BS11 é um módulo IGBT forte, confiável e eficiente para controle de energia e sistemas de acionamento de motor.Feito por Toshiba, é fácil de usar, funciona bem em ambientes difíceis e é confiável por muitas indústrias.Se você precisar de um módulo de potência confiável, agora é um bom momento para pedir a granel.

PDF da folha de dados

MG75Q1BS11 Faixas de dados: