Guia abrangente antes de comprar 2MBI300VN-120-50
2025-03-30 124

O módulo IGBT 2MBI300VN-120-50 da Fuji Electric é feito para máquinas industriais pesadas.Ele lida com alta potência, funciona rápido e ajuda as fábricas a criar sistemas confiáveis, como unidades motoras, unidades de UPS e equipamentos de energia renovável.Este módulo é confiável por muitas indústrias porque é forte, seguro e ajuda a economizar energia.É uma boa escolha para você que precisa de peças de alta qualidade a granel.

Catálogo

2MBI300VN-120-50 Descrição

O 2MBI300VN-120-50 é um módulo IGBT duplo de alto desempenho da Fuji Electric, especialmente projetado para exigir aplicações industriais.Ele suporta uma tensão máxima de 1200V e uma corrente contínua do coletor de 300A, tornando-o ideal para troca de alta potência em sistemas como acionamentos de motor, inversores, unidades UPS, conversores de energia renovável e equipamentos de soldagem.Seu pacote robusto garante a durabilidade em ambientes industriais severos, mantendo a perda reduzida de energia durante a operação.

O 2MBI300VN-120-50 é amplamente preferido por seu equilíbrio entre desempenho, segurança e custo-efetividade, ajudando você a criar sistemas de energia com eficiência energética e estáveis.Entre em contato conosco hoje para garantir seus pedidos em massa de módulos IGBT 2MBI300VN-120-50 a preços competitivos!

2MBI300VN-120-50 Recursos

• Comutação de alta velocidade - O 2MBI300VN-120-50 pode ligar e desligar muito rapidamente, ajudando as máquinas a trabalhar mais rapidamente e usar menos energia.

• Acionamento de tensão - Este módulo funciona com sinais de tensão, facilitando o controle sem precisar de circuitos complicados.

• Estrutura do módulo de baixa indutância - Ele é construído para reduzir o ruído elétrico indesejado e proteger outras peças, tornando o sistema mais seguro e estável.

2MBI300VN-120-50 Diagrama do circuito

O diagrama de circuito do 2MBI300VN-120-50 mostra uma configuração de inversor de meia ponte usando dois transistores IGBT.O IGBT superior é controlado pelo terminal G1 Gate e pelo IGBT inferior pelo terminal G2 Gate.Ambos os IGBTs possuem diodos de roda livre embutidos para lidar com as correntes reversas com segurança durante a comutação.Os terminais P e N representam as linhas de fonte de alimentação positivas e negativas, enquanto o terminal externo fornece a tensão de saída para a carga, localizada entre os dois transistores.

O circuito também inclui uma seção de termistor, mostrada à direita, conectada através dos terminais T1 e T2.Esse termistor monitora a temperatura interna do módulo, ajudando a protegê -lo do superaquecimento.No geral, essa estrutura permite que o módulo controle com eficiência o fluxo de energia, garantindo uma operação segura através da detecção de temperatura.

2MBI300VN-120-50 Classificações máximas

Nota *1: Todos os terminais devem ser conectados juntos durante o teste.

Nota *2: Dois terminais termistores devem ser conectados juntos, outros terminais devem ser conectados e curto à placa de base durante o teste.

Nota *3: Valor recomendável: Montagem: 2,5–3,5 nm (M5)

Nota *4: Valor recomendável: Terminais: 3,5–4,5 nm (M6)

2MBI300VN-120-50 Características elétricas

2MBI300VN-120-50 Características de resistência térmica

Nota *5: Este é o valor que é definido montando a barbatana de resfriamento adicional com composto térmico.

2MBI300VN-120-50 Curvas de desempenho

As curvas de desempenho do módulo IGBT 2MBI300VN-120-50 ilustram a relação entre Corrente do coletor (EU_c) e tensão do coletor-emitidor (V_CE) Sob diferentes tensões do portão (V_ge) em duas temperaturas de junção (TJ).O gráfico esquerdo mostra as características em T_j = 25 ° C., enquanto o gráfico certo representa o desempenho a uma temperatura mais alta de TJ = 150 ° C..

Dos ambos os gráficos, é evidente que aumentar a tensão do portão-emissor (VGE) levanta a corrente do colecionador (EU_c) Para uma determinada tensão de colecionador-emissor (V_CE).No V_ge = 20V, o módulo entrega a corrente mais alta do coletor, atingindo acima de 600A em T_j = 25 ° C. e um pouco mais baixo em T_j = 150 ° C..À medida que a temperatura aumenta para 150 ° C, a corrente do coletor diminui para o mesmo VGE, indicando uma redução na capacidade de manuseio de corrente devido a efeitos térmicos.Além disso, o módulo exibe comportamento típico de saturação IGBT, onde a corrente do coletor se torna menos sensível a V_CE Em valores mais altos, especialmente quando o VGE está acima de 12V.

O Gráfico esquerdo mostra como o colecionador atual (EU_c) do 2MBI300VN-120-50 IGBT varia com a tensão do coletor-emissor (V_CE) em diferentes temperaturas de junção (T_j) com uma tensão de portão fixo (V_ge) de 15V.À medida que a temperatura sobe de 25 ° C para 150 ° C, o dispositivo exibe uma queda notável na corrente de coletor para o mesmo V_CE.Isso indica que temperaturas mais altas reduzem a capacidade de manuseio de corrente do módulo, que é um efeito térmico típico nos IGBTs.No entanto, mesmo a 150 ° C, o módulo ainda suporta níveis de corrente substanciais, tornando-o adequado para aplicações de alta potência sob temperaturas elevadas.

O Gráfico direito ilustra a relação entre a tensão do coletor-emitidor (V_CE) e tensão do portão do portão (V_ge) a uma temperatura de junção constante de 25 ° C para diferentes correntes de coletores.À medida que a corrente do coletor aumenta de 150a para 600a, o V_CE também aumenta, especialmente em inferior V_ge.Este gráfico enfatiza a importância de aplicar a tensão de portão suficiente para minimizar as perdas de condução e alcançar menor V_CE em correntes altas.Confirma que dirigir o IGBT com mais alto V_ge Melhora o desempenho da condução, necessário nos aplicativos de inversor e comutação de energia.

O Gráfico esquerdo mostra as características da capacitância do portão do módulo 2MBI300VN-120-50.Ele plota a capacitância de entrada (C_ies), capacitância de saída (C_OES)e capacitância de transferência reversa (C_res) Contra a tensão do coletor-emissor (V_CE) a 25 ° C.A capacitância de entrada (C_ies) permanece relativamente alto e estável, enquanto C_OES e C_res diminuir como V_CE aumenta.Isso significa que em mais alto V_CE , a capacitância por gate-drain reduz, melhorando a velocidade de comutação e diminuindo as perdas de comutação.É necessário entender esses comportamentos de capacitância para projetar circuitos eficientes de acionamento de portão e prever o desempenho dinâmico.

O Gráfico direito exibe a carga dinâmica do portão (Q_g) características.Ele mostra como o VGE e o VCE variam durante o carregamento do portão em condições de comutação.Inicialmente, o VCE cai acentuadamente quando a carga do portão se acumula, indicando o rápido comportamento de ativação do dispositivo.Como Q_g continua a subir, V_ge Aumenta linearmente, representando o platô de Miller, onde ocorre a maior parte da transição de comutação.Esta curva confirma que o módulo requer carga moderada de portão para comutação de alta corrente, equilibrando a comutação rápida com os requisitos de unidade gerenciável.

2MBI300VN-120-50 Alternativas

Comparação entre 2MBI300VN-120-50 e MG300Q2YS50

2MBI300VN-120-50 Vantagens e desvantagens

Vantagens

• Lida com alta corrente - Entrega até 300A continuamente e 600A em ondas, ideal para exigir equipamentos industriais.

• Suporta alta tensão - Opera com segurança até 1200V, perfeito para sistemas de média e alta tensão.

• Comutação rápida - Muda rapidamente, ajudando a reduzir a perda de energia e melhorando a eficiência do sistema.

• Baixa perda de energia - Apresenta uma tensão de baixa saturação, minimizando a geração de calor e economia de energia.

• Diodo de roda livre embutida - Fornece proteção adicional e simplifica o design do circuito.

• Desempenho confiável - Confie em motores, sistemas UPS, energia renovável e máquinas de soldagem devido à sua operação duradoura e estável.

Desvantagens

• Tamanho volumoso - Maiores maiores que os módulos IGBT menores, que podem exigir mais espaço.

• Preço mais alto - Custa mais do que os módulos atuais mais baixos devido aos seus recursos mais altos de energia.

• Perda de comutação moderada - Perdas um pouco mais altas em comparação com os mais recentes IGBTs ultra eficientes.

• Precisa de um bom resfriamento - Requer gerenciamento adequado de calor, como dissipadores de calor ou ventiladores, para mantê -lo funcionando com segurança.

• Lançamento cuidadoso necessário - Deve ser montado corretamente para evitar o estresse nos terminais e na base.

Aplicativo 2MBI300VN-120-50

• Inversor para acionamento de motor - Este módulo é usado em unidades de motor para controlar a velocidade do motor e economizar energia.Ajuda as máquinas a funcionar sem problemas.

• Amplificador de acionamento de servo AC e CC - Funciona nos sistemas de servo acionamento para controlar os movimentos motores com precisão, fazendo com que as máquinas se movam do jeito que deveriam.

• Fonte de energia ininterrupta (UPS) - O módulo ajuda os sistemas UPS a manter a energia constante durante os apagões, protegendo os dispositivos de desligar.

• Máquinas Industriais (Máquinas de Soldagem) - É usado em máquinas como soldadores para lidar com alta potência com segurança, certificando -se de que as máquinas funcionem bem e durem mais.

2MBI300VN-120-50 Dimensões de embalagem

O contorno da embalagem do 2MBI300VN-120-50 mostra o tamanho externo e o arranjo do terminal do módulo.O módulo tem um comprimento total de 150 mm, uma largura de cerca de 62 mm e uma altura de cerca de 30 mm.Os orifícios e terminais de montagem estão claramente marcados, facilitando a instalação do módulo em dissipadores de calor e placas de circuito.Terminais como P, N, C, OUT, G1, G2, E1, E2, T1 e T2 são espaçados e marcados adequadamente para facilitar a fiação.O desenho também mostra os tamanhos e posições do orifício para montagem segura com parafusos.A área de "etiqueta" marcada é destinada à marcação e identificação do produto.No geral, esse esboço nos ajuda a nos preparar para a instalação correta, garantindo conexões mecânicas e elétricas estáveis.

2MBI300VN-120-50 Fabricante

O 2MBI300VN-120-50 é fabricado pela Fuji Electric, um líder reconhecido globalmente no campo de eletrônicos de energia e componentes industriais.Fundada no Japão em 1923, a Fuji Electric tem décadas de experiência no desenvolvimento de dispositivos semicondutores de alta qualidade, incluindo IGBTs, módulos de energia, diodos e outros produtos de conversão de energia.

Conclusão

O 2MBI300VN-120-50 é um módulo de energia confiável e eficiente para fábricas e sistemas industriais.É construído para durar e ter um bom desempenho, mesmo em condições difíceis.Se você está procurando módulos IGBT fortes e econômicos, este modelo está pronto para seus pedidos em massa.

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2MBI300VN-120-50 Data folhas de dados